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• Split Gate Trench LVMOS • Brand: Silan • Package: PDFN3*3-D • Polarity: N+N
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• Vdss (V): 40 • Id (A) Tc=25℃: 22 • Vgs (th) (V): 1.4~2.4 • Rds(on) @10V typ (mΩ): 16 • Rds (on) @10V max (mΩ): 20 • Qg @10V typ (nC): 5.8
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