IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor，注入增强栅晶体管）是东芝独创的功率半导体器件名称，本质上是在IGBT基础上采用栅极注入增强技术以降低静态损耗的优化产品，东芝已将其注册为商标。IEGT-PPI（Press-Pack IEGT，压接式IEGT）是东芝首创的压接式封装IEGT，采用内部无引线键合技术，所有电气连接均通过机械压力实现，芯片上下分别由钼片均匀压接至铜电极，同时完成电气连接与散热传导。器件内部充填惰性气体防止电极氧化，并采用陶瓷外壳封装，防爆性能优越。该封装可实现双面水冷散热，单管最大规格达4.5kV/3kA，电压覆盖范围扩展至6500V，电流等级涵盖1000A至2000A。其核心优势包括：无引线键合结构热疲劳抵抗力强，双面散热显著提高功率密度，器件损坏时呈短路模式便于串联冗余设计。主要应用于柔性直流输电换流阀、直流断路器、海上风电变流器（5MW以上机组）、高压直流输电及静态同步补偿器等大功率电能变换领域。