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电阻 电容 电感

电解电容
铝或钽阳极,氧化膜介质,有极性。容量大(1μF~数万μF),耐压<几百V。单位体积容量大,但高频差、ESR高、漏电大。用于电源滤波、低频耦合、储能。严禁反接或过压。

薄膜电容
塑料薄膜介质,金属电极,无极性。精度高(±5%~±1%),损耗小、频率特性好。容量100pF~几十μF,耐压可达上千V。用于高频旁路、振荡器、音频耦合、LC谐振。体积较大,但稳定性与寿命优于电解电容。

精密电阻
容差≤±0.1%,TCR低至±5~±0.2 ppm/°C。主要类型:金属膜(±0.1%)、金属箔(±0.001%)、绕线(有寄生电感)。用于精密分压、电流检测、仪表放大器、桥式电路、电压基准。

电感
线圈元件,单位H。抗拒电流变化,感抗 XL=2πfL,直流短路。存储磁能 E=12LI2。用于电源滤波、扼流圈、变压器、LC振荡。注意反电动势、磁饱和及屏蔽。

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MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是电压控制型开关器件,具有输入阻抗高、开关速度快,广泛用于电源、电机驱动及高频电路。

IGBT分立器件是耐高压、大电流的开关管,集MOSFET高输入阻抗与BJT低导通损耗于一体,用于电机驱动、逆变器等中等功率场合。

晶体管是半导体器件,主要用于放大电信号或充当电子开关。它分为双极型(BJT)和场效应(FET)两类,是构成放大器、逻辑门及集成电路的核心基础。

二极管是两端半导体器件,允许电流单向导通(正向导通、反向截止),主要用于整流、电压稳压、开关及检波电路。

整流是将交流电(AC)转换为直流电(DC)的过程,通常利用二极管的单向导通特性,常用于电源适配器与充电器中。

晶闸管(SCR)是四层三端半导体开关,具有单向可控导通特性。一旦触发导通便保持,常用于调压、可控整流及电机控制。

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